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삼성전자가 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개하며 AI 시대 메모리 기술 비전을 제시했다. AI 가속기 위에 수직 적층되는 zHBM은 성능과 전력 효율을 극대화하며, 온디바이스 AI에 최적화된 zNAND-O도 선보였다. 또한 400단 이상의 V10 BV-NAND를 최초 공개하며 초고적층 기술 리더십을 강조하고, HBM4E/HBM5 등 폭넓은 AI 메모리 로드맵과 원스톱 솔루션 역량으로 AI 반도체 혁신을 이끌겠다고 밝혔다.