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Micron skips 4F² for 3D DRAM as CXMT pushesahead

Micron은 4F² DRAM 구조가 제조 비용과 공정 복잡성 대비 집적도 향상 효과가 제한적이라고 판단하여 상용화를 추진하지 않을 계획이라고 밝혔다. 반면 중국 CXMT는 수직형 Surrounding-Gate Transistor를 적용한 4F² DRAM을 개발하고 있으며, 2026년 말 서버용 DDR5 RDIMM 출시를 목표로 하고 있다. 삼성전자와 SK hynix도 4F² DRAM 관련 기술을 개발하고 있지만, Micron은 기존 Planar DRAM의 물리적 미세화 한계를 극복하기 위해 3D DRAM 개발에 집중하고 있다.

https://www.digitimes.com/news/a20261022VL208/dram-micron-cxmt-technology-roadmap.html?mod=3&q=Micron+4F+DRAM

https://investors.micron.com/events-and-presentations/event-details/2026/Technology-and-product-webinar/default.aspx 

4. 3D Power & Thermal

UMC and AP MemoryCollaboratetoEnable Advanced Power Delivery Solutions for AI and HPC Systems

UMC와 AP Memory는 AI 및 HPC 시스템의 Power Delivery 성능 향상을 위해 DTC(Deep Trench Capacitor) 기반 Silicon Capacitor 개발 및 제조 협력을 발표했다. 양사는 UMC의 DTC Foundry 기술과 AP Memory의S-SiCap 설계를 결합하여 Capacitor를 Interposer 및 Package Substrate에 집적하고, 전력 공급 경로 단축과 Power Integrity 개선을 목표로 한다. 2026년 3분기 S-SiCap Gen 2D의 Tape-out 및 초기 기능 검증을 완료했으며, 향후 Package-Level 성능 및 신뢰성 평가를 진행할 예정이다.

https://www.apmemory.com/en/news/UMC?cate=productnews