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[Nov. 2, 2026] Weekly News

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1. 3D Memory

 

SK hynix Announces 3Q26 Financial Results

 

SK hynix는 AI 메모리 수요 증가에 힘입어 2026년 3분기 HBM4 출하를 본격화하고, 321단 TLC NAND 기반 eSSD 판매를 확대했다고 발표했다. HBM4 생산량 확대를 위해 M15X 생산시설을 연말까지 최대 가동 수준으로 끌어올릴 계획이며, 4분기에는 HBM4가 HBM3E를 출하량과 매출 모두에서 넘어설 것으로 전망했다. 또한 국내 NAND 생산능력에서 321단 공정 비중을 50% 이상으로 확대하여 고성능·고용량 eSSD 공급을 강화할 예정이다. 향후 HBF(High Bandwidth Flash) 및 시스템 최적화 기술을 기반으로 AI 메모리 제품 경쟁력을 높일 계획이다.


https://news.skhynix.com/en/q3-2026-business-results/?trk=article-ssr-frontend-pulse_little-text-block



3. 3D Packaging

 

NVIDIA expands advanced packaging capacity

 

NVIDIA는 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위해 Amkor, SPIL, KYEC 및 주요 Substrate 제조사와 협력하여 Advanced Packaging 생산능력 확대를 추진하고 있다. Amkor는 2028년 말까지 한국 내 Interposer Wafer 생산능력을 300% 이상 확대할 계획이며, KYEC는 NVIDIA의 11억 달러 규모 지원을 바탕으로 반도체 테스트 생산능력을 확충할 예정이다. 또한 SPIL은 Co-Packaged Optics(CPO)용 Optical Engine 생산능력을 2027년 중반까지 15배 확대하는 것을 목표로 한다. 이를 통해 차세대 AI 반도체의 고밀도 집적 및 패키징·테스트 공정의 생산 병목을 완화할 계획이다.


https://www.advancedpackaging.news/article/125699/NVIDIA_expands_advanced_packaging_capacity



5. 3D Process & Metrology

 

Lam and imec Expand Collaboration to Advance Manufacturability of Next-Gen 3D Integration Technologies, Explore Aether Dry Resist Use Cases

 

Lam Research와 imec는 차세대 3D Integration 기술의 양산 적용을 가속하기 위해 Deposition 및 Etch 공정 공동 연구를 확대한다고 발표했다. 주요 개발 분야에는 Thick Dielectric Deposition, Stress Compensation, High-Aspect-Ratio Channel Etch, Charge-Trap Material 및 Deep Memory Contact 형성 기술이 포함된다. 또한 High-NA EUV 공정을 위한 Aether Dry Resist 기술을 공동 개발하며, 20 nm Pitch의 Ruthenium Interconnect 패터닝에서 높은 전기적 수율을 확보한 연구 성과를 공개했다. 이를 통해 차세대 3D Memory와 GAA·CFET 소자의 공정 복잡성을 줄이고 제조 가능성을 높이는 것을 목표로 한다.


https://www.imec-int.com/en/press/lam-and-imec-expand-collaboration-advance-manufacturability-next-gen-3d-integration