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  • [Nov. 2, 2026] Weekly News

    [2026.11.02] 1. 3D Memory   SK hynix Announces 3Q26 Financial Results   SK hynix는 AI 메모리 수요 증가에 힘입어 2026년 3분기 HBM4 출하를 본격화하고, 321단 TLC NAND 기반 eSSD 판매를 확대했다고 발표했다. HBM4 생산량 확대를 위해 M15X 생산시설을 연말까지 최대 가동 수준으로 끌어올릴 계획이며, 4분기에는 HBM4가 HBM3E를 출하량과 매출 모두에서 넘어..

  • [Oct. 26, 2026] Weekly News

    [2026.10.27]   1. 3D Memory   Micron skips 4F² for 3D DRAM as CXMT pushesahead   Micron은 4F² DRAM 구조가 제조 비용과 공정 복잡성 대비 집적도 향상 효과가 제한적이라고 판단하여 상용화를 추진하지 않을 계획이라고 밝혔다. 반면 중국 CXMT는 수직형 Surroundin..

  • [Oct. 24, 2026] Stacked-Die Multi-Chip Architectures: The Tradeoff Between Scaling And Power Delivery

    [2026.10.24] 1. 3D 적층·칩렛은 성능과 집적도를 높이지만, 전류 밀도 증가와 배선 혼잡, 급격한 부하 변화에 따른 전압 강하로 전력 공급이 핵심 병목이 됩니다. 2. 해결책은 부하 가까이에 집적형 전압조정기(IVR)를 배치하는 것으로, 높은 전압으로 전력을 전달한 뒤 현장에서 낮춰 전력 손실을 줄이고 응답 속도를 높입니다. 3. 인텔은 CoaxMIL 자성 인덕터 기반 FIVR, 커패시터 기반 C2VR, IVR 칩렛·수직 전력..

  • [Oct. 19, 2026] Weekly News

    [2026.10.19]   1.3D Memory   SK hynix Ahn says AI surges, drives Korea to develop 3D stacked DRAM and HBF   SK hynix는 SEDEX 2026에서 AI 추론 시장의 성장에 따라 메모리 계층 간 데이터 이동이 새로운 성능 및 전력 병..

  • [Oct. 12, 2026] Weekly News

    [2026.10.12] 1. 3D Memory   NVIDIA’s NVHBM Reshapes Base Die Strategies: How Micron, Samsung Are Bringing TSMC Into the Fold   NVIDIA의 NVHBM 도입으로 HBM Base Die의 Logic 기능과 설계 중요성이 확대되고 있으며,..

  • [Oct. 9, 2026] GlobalFoundries reaches agreement to establish U.S.-based supply of silicon interposers for advanced AI packaging

    [2026.10.09] GlobalFoundries는 TSMC와 20억달러 규모의 5년 계약을 체결하고 뉴욕 몰타 공장에 CoWoS용 실리콘 인터포저 생산능력을 구축합니다. 내장형 딥트렌치 커패시터 부품도 포함되며, 2028년 상반기부터 양산을 확대해 미국 최초의 CoWoS 실리콘 인터포저 공급원이 된다는 계획입니다.

  • [Oct. 7, 2026] The Data Center Is Moving to 800V: Microchip and Navitas Are Enabling the Transition

    [2026.10.07] AI 데이터 센터가 고전력 GPU 클러스터를 지원하기 위해 확장됨에 따라, 배전 효율성을 높이고 전력 밀도를 향상시키며 차세대 서버 설계를 지원하기 위해 업계는 800V DC 랙 전력 아키텍처로 전환하고 있습니다. 이러한 전환을 가속화하기 위해 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology, Nasdaq: MCHP)와 네비타스 세미컨덕터(Navitas Semiconductor, Nasdaq: NVTS)는 AI 데이터 센터 랙 전력 애플리케이..

  • [Oct. 7, 2026] Infineon Leads the Quiet Migration of Power Semiconductors

    [2026.10.07] 글로벌 공급망 재편 및 인피니온의 태국 진출: 글로벌 반도체 기업들은 단순 비용 절감을 넘어 '공급망 다변화'와 '안정성(선택지)' 확보를 위해 태국 등 동남아 지역으로 백엔드(후공정) 거점을 확장하고 있습니다.      지리적 분산의 난제: 단순한 공장 설립보다 프로세스의 동질성 확보, 재료 승인, 품질 및 수율 관리가 핵심이며, 동반 진출하는 중소 협력사들에게는 고정비 증가와 재고 부담이라는 리스크가 동반됩니다..

  • [Oct. 7, 2026] Huawei's Kirin 9050 Pro reveals new logic folding chip design

    [2026.10.07] Geekerwan의 분해분석과 Kurnal Insights의 다이 사진을 종합한 DIGITIMES 후속 보도는 Mate 90 Pro Max용 SoC가 전통적인 단일평면 다이가 아니라 두 개의 다이를 수직 적층한 구조라고 분석했습니다. 다만 Cu-Cu 본딩 방식, TSV 수, 다이별 기능분할과 공정노드는 Huawei가 공식 공개한 사양이 아닙니다.

  • [Oct. 5, 2026] Weekly News

    [2026.10.06] 1. 3D Memory   Applied Materials and KIOXIA Partnerat the EPIC Center to Advance Next-GenerationMemory Technology   Applied Materials와KIOXIA는 차세대 AI Memory 개발을 위해 EPIC Center에서 공동 R&D를 진행한다. Advanced Memory Cell/Structure 및 Mult..

  • [Sep. 29, 2026] VSMC Celebrates the Grand Opening of Its First 300mm Fab in Singapore

    [2026.09.29] VIS와 NXP의 합작사 VSMC가 78억달러 규모 싱가포르 팹을 열고 위험생산에 들어갔습니다. 40∼130㎚ 공정으로 mixed-signal·전력관리·아날로그 및 인터포저 제품을 생산하며, 2027년 1분기 양산과 2029년 월 4만4,000장 생산을 목표로 합니다. 회사는 첫 40㎚ sample lot 수율이 99%를 넘었다고 밝혔습니다.

  • [Sep. 28, 2026] Weekly News

    [2026.09.28] 1. 3D Memory   Samsung reported lyshifts sub-10nm DRAM roadmap toward hybrid bonding   Samsung은 최초의 sub-10 nm DRAM인 D0a 공정의 기본 구조로 Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding을 적용하는 방향으로 로드..

  • [Sep. 21, 2026] Weekly News

    [2026.09.22]   1. 3D Memory   SK hynixPresents ‘New Spectrum’ for AI Infrastructureat ‘AI InfraSummit 2026’   SK hynix는 AI가 Training에서 Inference 중심으로 확대됨에 따라 다양한 AI Workload에 대응하기 위한 HBF, PIM, SALT-KV 기술을 제시했다. HBF는 NAND에 TSV를 적용해 높은 Bandwidth와 대용량..

  • [Sep. 17, 2026] onsemi Introduces the Embedded Power Platform, a Breakthrough Architecture for the AI Era

    [2026.09.17] 온세미(onsemi)는 오늘, 전례 없는 전력 밀도와 다수의 다이(die)를 단일 실리콘 소자로 통합하는 방식을 통해 시스템 전력 공급의 개념을 재정립하는 '임베디드 파워 플랫폼(EPP)'을 공개했습니다. EPP는 단일 아키텍처 내에서 전기적, 기계적, 열적 성능을 통합적으로 최적화함으로써, 전력 시스템 설계에 대한 고집적 접근 방식을 통해 기존 솔루션 대비 최대 3~5배 높은 전력 밀도를 구현합니다. 이를 통해 고객은 AI 인프라 및 전동화 ..

  • [Sep. 14, 2026] Weekly News

    [2026.09.14]   1. 3D Memory   SK hynix Charts Its Business and Technology Direction at the 2026 Future Forum—”Now Is the Golden Time to Leap Forward”   SK hynix는 AI 시대의 차세대 메모리 기술로 3D Stacked DRAM과..

  • [Sep. 11, 2026] d-Matrix Adopts NVIDIA NVLink Fusion for Rack-Scale XPU Deployment

    [2026.09.11] d-Matrix는 DRAM 메모리 다이와 SRAM 연산 다이를 수직 적층한 ‘2층’ Raptor XPU를 NVLink Fusion을 통해 NVIDIA MGX 랙에 통합합니다.  GPU가 연산 집약적인 prefill을, Raptor가 지연시간에 민감한 decode를 맡는 이종 분리 구조이며, 연말 전 테이프아웃과 2027년 4분기 초기 공급이 목표입니다.

  • [Sep. 10, 2026] A Stealth Startup Thinks It Just Hacked the Memory Shortage : Kepler Computing

    [2026.09.10] 반도체 스타트업 Kepler Computing은 기존 팹과 비(非)EUV 공정을 활용해 SRAM과 HBM을 3차원 적층하는 기술로 AI의 메모리 병목을 해결하겠다고 나섰다.   저전압 강유전체 기반 소재를 적용해 메모리 집적도와 전력효율을 높이고, HBM의 데이터 처리 효율을 SRAM 수준에 가깝게 만드는 것이 핵심이다.   인텔·AMD·빌 게이츠 측 투자 등을 포함해 4억6,800..

  • [Sep. 10, 2026] 무라타, AI 반도체용 전력기판 'iPaS' 내년 양산

    [2026.09.10] 글로벌 최대 적층세라믹커패시터(MLCC) 업체인 일본 무라타가 인공지능(AI) 반도체용 전력기판 'iPaS(Integrated Package Solution)'를 내년 양산한다. AI 반도체를 개발하는 빅테크가 주요 고객이다. MLCC와 실리콘커패시터 등 수동소자에서 기판형 제품으로 AI 전력 솔루션을 확대한다. 출처 : 디일렉(THE ELEC)(https://www.thelec.kr)

  • [Sep. 7, 2026] Weekly News

    [2026.09.07] 1. 3D Memory   Hot Chips 2026: Samsung reveals a three-phase HBM roadmap that puts logic and compute inside memory — zHBM ultimately stacks DRAM directly on top of ..

  • [Aug. 31, 2026] Weekly News

    [2026.09.01] 1. 3D Memory   Samsung Electronics FilesTrademark for Next-Generation AI Memory 'zHBF' ... MovestoSecure the Next Market After HBM   삼성전자는 HBM 이후 차세대 AI 메모리 시장을 겨냥해 zHBF 상표를 출원했다. HBF는 DRAM 기반의 HBM과 달리 고용량 NAND Flash를 활용해 HBM과 SSD 사이의 성능..

  • [Aug. 24, 2026] Weekly News

    [2026.08.24] 1. 3D Memory   Micron CEO Sanjay Mehrotra's 'reminder' to everyone investing in AI and calling it 'big': Right now, there is no AI without ...   Micron CEO Sanjay Mehrotra는 AI 산업의 성장을 위해서는 GPU와 같은 연산 장치뿐만 아니라 Memory와 Storage 기술이 필수적이라고 강조했다...

  • [Aug. 18, 2026] 2027 ECTC (June 1-4, Denver, Colorado) Call for papers

    [2026.08.18]  As the Program Chair of the 77th ECTC, I extend a warm invitation for you to electronically submit your abstract at www.ectc.net, utilizing the “Author Information” tab. Your abstract should provide comprehensive details of your proposed technical..

  • [Aug. 15, 2026] Accelerating GPT-5.6 Sol Ultrafast

    [2026.08.15]   OpenAI API의 제한된 고객 대상으로 Cerebras 기반 GPT‑5.6 Sol Ultrafast가 공개됐으며, 최대 초당 750개 출력 토큰을 목표로 한다. Cerebras는 기존 GPU의 병목인 모델 가중치 이동을 줄이기 위해 웨이퍼급 칩 안에 44GB SRAM을 넣어 가중치를 온칩에 유지한다고 설명한다. 법률·금융·엔지니어링 보고서, 장애 대응·보안처럼 응답 지연이 중요한 작업에서 품질 저하 없이 처리 시간을 크게..

  • [Aug. 15, 2026] Intel CEO hints at return to the memory business — says market is ripe for innovation, hints at stacking memory and CPU

    [2026.08.15]   인텔의 립부 탄 CEO가 메모리를 더 이상 단순 범용품이 아닌 AI 시대의 전략 기술로 보고, 인텔의 메모리 사업 재진입 가능성을 시사했습니다. 다만 구체적인 제품·투자 계획을 발표한 것은 아닙니다. 핵심 관심사는 CPU 위에 메모리를 직접 적층하는 등 연산·메모리를 더 밀결합하는 신규 아키텍처입니다. 이는 HBM의 패키지·인터커넥트 한계를 넘어 대역폭·전력·지연을 함께 개선하려는 방향으로 볼 수 있습니..

  • [Aug. 12, 2026] “HBM은 형편없다” 전 인텔 CEO 도발하자…SK하이닉스 임원 대답이

    [2026.08.12]   팻 겔싱어 전 인텔 CEO는 HBM이 D램 적층으로 인한 발열과 낮은 비트·전력·대역폭 효율을 가진 구조적 한계가 있다고 비판했다. SK하이닉스도 HBM이 ‘메모리 월’의 최종 해답은 아니지만, 현재 AI 시스템에 사용할 수 있는 가장 좋은 메모리라고 평가했다. 향후 경쟁은 HBM 개선을 넘어 GPU·메모리·패키징을 공동 설계하고 ZAM·XBM 등 차세대 메모리 구조를 개발하는 방향으로 확대될 전망이다.

  • [Aug. 10, 2026] Weekly News

    [2026.08.10] 1. 3D Memory   New HBF spec outlines tech that can give GPUs terabytes of extra memory — Sandisk and SK hynix unveil spec with up to 16-Hi NAND stacks, 3 TB/s bandwidth, UCIe   Sandisk와 SK hynix는 AI 추론을 위한 차세대 메모리인 HBF(High Bandwidth Flash)의..

  • 2026 OCP Korea Tech Day

    [2026.08.10] 2026 OCP Korea Tech Day  2026년 8월 21일(금) 10:00~17:30   OCP Korea Tech Day는 Open Compute Project(OCP) 재단과 OCP Korea 커뮤니티가  2019년부터 개최한 한국의 오픈 데이터 센터 혁신 전문 포럼으로서, 전 세계의 하이퍼스케일러,  반도체 선도기업, 인프라..

  • [Aug. 10, 2026] Imec Unlocks System-Level III-V Chiplet Integration on Si-CMOS with Advanced 300mm RF Silicon Interposer Platform

    [2026.08.10] Imec's advanced 300mm RF silicon interposer enables scalable system-level integration of III-V chiplets with silicon CMOS for next-generation RF and mixed-signal systems. Embedded high-density MIM capacitors reduce parasitic inductance, improve p..

  • [Aug. 5, 2026] SK하이닉스, 샌디스크와 HBF 첫 표준 규격 공개…‘FMS 2026’서 AI 메모리 해법 알린다

    [2026.08.05] ▪ 컨소시엄 출범 6개월 만에 HBF 첫 표준 공개… 구글 · 텐스토렌트 참여로 생태계 확대▪ 행사 개막일김천성 부문장 · 강욱성 담당키노트… ‘계층형 메모리’ 기반 차세대 AI 인프라 해법 제시▪ 구글 딥마인드 · 샌디스크와 패널 토의… ‘HBF로 메모리 월 돌파’ 논의▪ 전시 부스서 10세대(V10) 375단 4D 낸드 최초 공개… 전력 대비 성능 2.5배 향상▪ “HBF로 메모리 · 스토리지 경계 확장… 시스템 효율 높이는 새 아키텍처 기..

  • [Aug. 5, 2026] 삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 비전 제시

    [2026.08.05] 삼성전자가 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개하며 AI 시대 메모리 기술 비전을 제시했다. AI 가속기 위에 수직 적층되는 zHBM은 성능과 전력 효율을 극대화하며, 온디바이스 AI에 최적화된 zNAND-O도 선보였다. 또한 400단 이상의 V10 BV-NAND를 최초 공개하며 초고적층 기술 리더십을 강조하고, HBM4E/HBM5 등 폭넓은 AI 메모리 로드맵과 원스톱 솔루션 역량으로 AI..

  • [Aug. 3, 2026] Weekly News

    [2026.08.03] 1. 3D Memory   Samsung, SK hynix Reportedly Reconsider Hybrid Bonding Timeline; 16-High HBM4E May Be Earliest Adoption   삼성전자와 SK hynix는 HBM에 Hybrid Bonding을 적용하는 시점을 기존 예상보다 늦추는 방안을 검토하고 있다. HBM4의 패키지 두께 제한이..

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